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SHH3M660T08S0规格书

发布时间：2024-03-20

 750V 660A M0封装 IGBT模块

 
 
集电极-发射极阻断电压Vces=750V
 
 
                       额定电流Ic=660A
 
 
 
M028_SHH3M660T08S0_DATASHEET_C&E_V1.0.pdf
文件类型: .pdf de1752e8a2e28c61be64014969d5ca28.pdf (1.61 MB)
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