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SHH3M660T08S1规格书

发布时间：2024-03-20

 750V 660A M1封装 IGBT模块

 
 
集电极-发射极阻断电压Vces=750V
 
 
                       额定电流Ic=660A
 
 
M101_SHH3M660T08S1_DATASHEET_C&E_V1.0.pdf
文件类型: .pdf 21dbff97622de41111906cf582e02e58.pdf (1.62 MB)

 

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