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SHN1E200T12SB规格书

发布时间：2024-03-20

 1200V 200A EB封装 IGBT模块

 
 
集电极-发射极阻断电压Vces=1200V
 
 
                       额定电流Ic=200A
 
 
 
EB01_SHN1E200T12SB_DATASHEET_C&E_V1.0.pdf
文件类型: .pdf f1ff24a99e237a933b5bc3e34b0b9dfa.pdf (1.54 MB)
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